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PVD镀膜设备3D图和手册资料
首页 >半导体设备图纸 >晶圆制造:镀膜-PVD-CVD 2026-04-27 报告错误错误问题可与客服联系,感谢您的支持![获取免费下载]分享好友可以免费下载哦!0
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图纸描述

这是面板显示行业,目前先进的OLED蒸发镀膜PVD设备,图纸仅供参考!不可以编辑!仅为整机设备框架!工艺腔细节没有了!赠送相应手册资料和行业报告资料等!

OLED PVD 镀膜,核心是在超高真空下用热蒸镀 / 磁控溅射沉积纳米级有机 / 无机薄膜,是 AMOLED 面板发光层、电极、封装的核心制程。

一、基本原理

  • PVD(物理气相沉积):真空环境中,材料由固态→气态→固态薄膜,无化学反应

  • OLED 主流 PVD

    • 真空热蒸镀(Thermal Evaporation):用于有机功能层(空穴传输、发光、电子传输)。

    • 磁控溅射(Magnetron Sputtering):用于透明电极(ITO)、金属阴极、封装层

  • 二、真空热蒸镀(有机层核心工艺)

  • 结构:超高真空腔(10⁻⁷–10⁻⁸ Pa)、蒸发源、掩模板(Fine Metal Mask, FMM)、基板 / ITO。

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  • 流程

  • 真空抽至10⁻⁷ Pa级别。

  • 蒸发源加热(电阻 / 电子束),有机材料升华成分子流。

  • 分子流直线运动,穿过FMM镂空像素区,沉积到 ITO 基板。

  • 逐层沉积:空穴注入→空穴传输→发光层→电子传输→电子注入(总厚100–200 nm)。

  • 金属阴极蒸镀(如Al、Mg/Ag)。

  • 关键参数

  • 真空度:<1×10⁻⁶ Pa(防有机材料氧化)。

  • 膜厚精度:±1 nm(亮度 / 色度均匀)。

  • 掩模精度:±2 μm(决定像素分辨率)。

  • 三、磁控溅射(电极与封装)

  • 透明电极(ITO):Ar 离子轰击 ITO 靶,沉积100–150 nm ITO 膜,低方阻、高透光

  • 金属阴极:溅射Al、Mg/Ag低电阻率、高反射

  • 薄膜封装(TFE):溅射 / PECVD 交替沉积SiNx/SiO₂,水氧阻隔WVTR<10⁻⁶ g/m²/day


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图纸信息
图纸ID :109
文件大小:80.95M
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图纸参数:不可编辑,不包含特征参数
图纸格式:STEP
软件版本:2025
作者
用户XY0cKu
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