STP格式!详细3D图纸,核心流道结构设计:微型化气路与流体-冷却技术!经过十几年的优化和改进!目前最新设计,通用ASM KS BESI hamni等机型!采用可更换吸嘴设计!!
键合头部件在半导体高精度热压键合(TCB)及异构集成中扮演着核心角色。其关键技术点主要体现在以下几个方面:
瞬时升降温: 采用陶瓷脉冲加热器(Ceramic Pulse Heater),可在极短时间内将温度提升至键合所需的高温(通常最高可达 400°C 左右)。
热效率高与热变形控制: 由于采用脉冲加热,热量高度集中在芯片与基板的接触界面,能够有效减少对周边区域的热辐射,防止整机结构和载具发生热变形,确保微米级的定位精度。
多品种兼容(Flexibility): 顶部的方形/十字交叉结构或吸嘴模组支持快速更换。面对不同尺寸、不同材质的 Die(芯片),可以通过更换对应的吸嘴(Collet)来适配,大幅缩短换型时间(Changeover Time)。
真空吸附与气路集成: 吸嘴中心及周边集成有精密的真空吸孔,用于在拾取(Pick)、转移和压合(Place & Bond)过程中稳定抓取超薄芯片。
气动接口与快插接头: 图中红白相间的底座部分集成了多个气动快插接头(如左侧的 T 型气管接头和右下角的节流/控制阀组件),用于精准控制吸嘴的真空吸放、吹气(Blow-off)以及键合头的微动气缸动作。
流道与隔热设计: 内部复杂的层叠结构(红色阳极氧化铝基座、白色隔热/绝缘陶瓷件)能够有效阻断热量向上传导至高精密的传感器和驱动轴,保护上游机械结构不受高温老化影响。
共面性与压力传递: 键合头需要承受热压过程中的动态载荷,其结构设计保证了极高的刚性与平面度,配合动态/主动力控系统(Active Bond Force Control),确保在施加键合力时压力均匀分布,避免因受力不均导致芯片碎裂或空洞(Voids)。
精密定位特征: 顶部的十字对准标识与周边的定位销、紧固螺栓孔,确保了该加热组件在键合轴(Bond Head Axis)上的绝对对中精度,配合视觉系统实现高精度的对位与压合。