客服
真空过程中产生的纳米粒子尺寸分布 (5nm)、形状 (20nm) 和成分 (133eV) 集成实时分析技术
首页 >半导体设备资料 >晶圆制造:镀膜-PVD-CVD 2024-01-31 报告错误错误问题可与客服联系,感谢您的支持! [上传图纸即可免费下载] 觉得本站不错记得分享给好友哦! 0
23
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
图纸预览图
资料描述

资料98页!内部资料请慎用!

  • 半导体和显示器制造过程中良率下降的原因中,约有 70% 与过程中产生的污染物颗粒有关   。然而,现有的非原位方法(表面扫描仪、PWP 方法等)无法进行实时分析,因此难以立即做出响应  

  • 这里的技术资料是针对一种集成诊断系统,该系统能够在低压(真空)环境下实时捕获半导体工艺过程中产生的纳米颗粒,并同时分析其粒径分布(PBMS)、形貌(SEM)及成分(EDS)。

 主要技术内容:组件和功能(PCDS)


  • PBMS 模块(粒子束质谱仪): 利用气动透镜聚焦和加速纳米粒子,用电子枪给它们充电,然后利用偏转器和法拉第探测器测量粒子的尺寸分布  


  • 扫描电子显微镜模块(SEM 模块): 观察法拉第杯中捕获的颗粒的形状,图像分辨率小于 10 纳米  

  • EDS 模块(能量色散光谱): 使用小型能量光谱仪定量分析捕获的纳米粒子的成分(能量分辨率 $\le 133$ eV

  • 主要操作模式:

    • 扫描模式: 通过电压控制测量颗粒尺寸分布(数量)。

    • 监测模式: 根据当前值随时间变化实时观察腔室内产生的颗粒数量。

    • 图像/分析模式: 对捕获的颗粒进行高倍率形态观察和成分分析。

3. 量化目标