本文档的主要内容是关于 SiN（氮化硅）和 SiO2（氧化硅）等离子体原子层沉积 (PEALD) 工艺的开发以及用于场效应晶体管。
具体细节和内容如下：
为了克服半导体尺寸缩小的限制，我们的目标是确保 SiN 和 SiO2 ALD 工艺技术能够在低温下实现高密度和高均匀性，同时最大限度地减少衬底损伤。 。
主要研究内容：
开发低温 SiO2 和 SiN ALD 的最佳前驱体（胺系列等）和化学方法，使用 ICP 型远程等离子体进行高质量薄膜加工，并在高纵横比 (70:1) 结构中实现 100% 的台阶覆盖率 。
开发能够计算鞘层内离子分布函数（IEDF、IADF）的基于蒙特卡罗方法的模拟器，并研究等离子体均匀性控制 。
选择性原子层沉积 (AS-ALD) 的表面性质控制（利用 SAM 等抑制剂）和下一代工艺技术的开发 。
在 4 英寸晶圆上实现了 SiO2 和 SiN 薄膜厚度均匀性小于 1% 。
开发小于 50度的低温 SiO2 ALD 工艺和大于 12nm/min的高生长速率工艺 。
