用于 AMOLED 的第八代高频感应耦合等离子体干法刻蚀设备及采用低全球变暖潜值气体的 SiO_{2}/Al_{2}O_{3} 刻蚀工艺的开发技术资料 。该项目旨在减少显示器制造核心工艺——干法刻蚀领域的温室气体排放，并确保大面积工艺的竞争力 。
随着有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）的应用范围从小型显示器扩展到大型电视的大规模生产，对具有大面积、高产量、高良率和高均匀性的第八代设备的需求出现。
主要用于现有的干法刻蚀工艺，是一种温室气体，具有非常高的全球变暖潜能值（GWP），并受到国际法规的约束，因此迫切需要开发低 GWP 气体和设备/工艺来替代它们 。
Wonik IPS ：第八代高频感应耦合等离子体（ICP）干法刻蚀设备和天线（C 型）的优化设计、大面积工艺评估和表征 。
Wonik 材料 ： $SF_{6}$ 选择替代的低 GWP 含氟化合物候选物， $C_{3}F_{6}O$ 开发替代气体（如 HFA）的合成和高纯度提纯工艺（确保 4N 级） 。
Zenith World ：改进静电吸盘 (ESC) 的基础材料和结构，并生产用于大面积和高温 (80~100℃) 环境的原型 。
开展了干法刻蚀气体等离子体密度和自由基测量与诊断、天线电磁场模拟以及等离子体均匀性改进的研究 。
