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英国牛津仪器等离子PlasmaPro系列资料
首页 >半导体设备资料 >晶圆制造:镀膜-PVD-CVD 2024-01-31 报告错误错误问题可与客服联系,感谢您的支持! [获取免费下载] 觉得本站不错记得分享给好友哦! 0
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资料描述

PlasmaPro 是牛津仪器(Oxford Instruments)旗下干法刻蚀、等离子沉积全系列平台,覆盖科研研发、小批量试产、中大型量产全场景,主流分为 80/100/800/1000 四大产品线,包含 RIE、ICP、PECVD、ICPCVD、ALE 原子层刻蚀、失效分析 FA 等工艺机型,适配硅、III-V 族、碳化硅、氮化镓、MEMS、光电子、功率半导体、LED 等材料工艺。

通用核心技术特性

  1. 超宽衬底温控:标配 - 150℃(液氮制冷)~+400℃,部分加热电极可达 1200℃;He 背面冷却,整片晶圆温度均匀

  2. 双独立射频控制(ICP 机型)ICP 源射频(最高 3000W)控制等离子自由基浓度;衬底偏压射频(最高 600W)独立调控离子轰击能量,实现刻蚀形貌、损伤、速率解耦调节

  3. 终点检测系统OES 光学发射光谱、激光干涉双方案,精准监控刻蚀停止点,适配透明 / 不透明薄膜

  4. 工艺追溯与自动化毫秒级数据记录、全自动原位腔室清洁、多气体管路选配,符合半导体 S2/S8 洁净标准

  5. 材料适配全覆盖刻蚀:单晶硅、多晶硅、氧化硅、石英、SiC、GaN、GaAs、InP、金属、聚酰亚胺、光刻胶沉积:氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、类金刚石 DLC、多晶硅、SiC 介质膜


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资料信息
资料ID :327
文件大小:92.06M
资料格式:pdf
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