离子注入机是晶圆前道掺杂核心设备，在高真空下将 B、P、As、Sb 等杂质电离、加速，精准打入硅片指定深度与区域，可控改变半导体导电类型（P/N 型）与掺杂浓度，是 CMOS、功率器件、存储芯片必备工艺设备，掺杂精度远超传统扩散工艺。
完整 5 步工作流程：
离子源电离：BF₃、PH₃等气态源或固态 As/P 蒸发，电离生成等离子体离子；主流为 Bernas 伯纳源、微波 / RF 射频源。
离子引出：高压电场拉出带电离子束。
磁质量分析：磁场分选单一目标离子，剔除杂质、同位素、碎片离子，保障纯度。
加速聚焦：多级高压电极赋予离子动能，能量直接决定注入深度；电磁透镜整形束流。
扫描注入晶圆：束扫描 / 晶圆机械扫描全覆盖，配套电子中和枪（Flood Gun）消除晶圆充电损伤，靶室完成批量片处理。
