全称：High Density Plasma CVD，高密度等离子体化学气相沉积厂商：Applied Materials（应用材料 AMAT），搭载在经典 Producer 集群平台（Producer SE / Producer GT）上的专用工艺腔模块，是刻蚀 + 沉积一体化的特殊 CVD 设备，不属于常规 PECVD。行业俗称：HDP，专门解决高深宽比沟槽填充，是浅沟槽隔离 STI、间隙填充刚需机台。
常规 PECVD 只有单纯薄膜沉积，沟槽深处极易出现空洞、缝隙；HDP-CVD 采用偏置射频 + 源射频双射频结构，实现同步双工序：
薄膜沉积：硅烷、氧气等反应气体电离，在沟槽内壁沉积 SiO₂氧化硅薄膜；
原位溅射刻蚀：高密度等离子体中的离子在偏置电压作用下垂直轰击膜层，把沟槽开口处过度堆积的氧化硅反向溅射刻掉；沉积、刻蚀两个过程动态平衡，开口不会提前封口，氧化硅可以从沟槽底部自下而上完整填充，实现无孔洞无缝隙填充。
三、和普通 PECVD 核心差异对比
| 参数 | HDP-CVD | 常规 PECVD（Producer GT 标准腔） |
|---|---|---|
| 工艺机制 | 沉积 + 同步离子溅射刻蚀一体化 | 单纯薄膜沉积，无刻蚀作用 |
| 沟槽填充能力 | 可填充深宽比 > 6:1 的窄沟槽，零空洞 | 深宽比 > 2:1 就极易出现封口、空洞 |
| 典型薄膜 | 高密度 SiO₂（STI 专用） | SiO₂、Si₃N₄、低 k 介质层 |
| 应力水平 | 薄膜致密、压应力可控，绝缘隔离可靠性极高 | 薄膜疏松，无法做深沟槽填充 |
| 典型工序 | 浅沟槽隔离 STI、金属前间隙 PMD 填充 | 层间介质 ILD、钝化层、硬掩膜 |
