晶圆激光隐切机（Laser Stealth Dicing，LSD，激光隐形切割机）专为半导体硅片、碳化硅 SiC、蓝宝石、氮化镓等晶圆划片拆分设计，区别传统刀片切割、常规激光烧蚀切割，采用内部改性隐形切割工艺，是先进封装、薄晶圆、第三代半导体切片主流设备，图里 3D 结构正是该机型内部精密运动平台整机结构。

二、核心工作原理（隐形切割关键）

1. 内部聚焦改性红外飞秒 / 纳秒激光透过晶圆正面完整表层，精准聚焦在晶圆材料内部预设深度，不损伤晶圆正面光刻胶、器件结构；激光能量使聚焦位置硅晶格发生相变、产生微米级连续改性层（改质层）。

2. 裂片分离改性层形成连续脆弱分割轨迹，后续通过机械扩张、真空拉伸、滚轮施压或研磨减薄，晶圆会沿着内部改性缝自动完整分开成单颗芯片（Die）。

3. 对比传统刀片划片：不在晶圆表面开槽、无切削损耗、无崩边、无粉尘、无冷却水污染芯片电路。

三、整机结构拆解

1. 外部机柜（前几张箱体视图）

• 钣金封闭式整机机柜：防尘、洁净室适配（Class100/Class1000 无尘车间）；

• 操作触控屏、急停按钮、三色状态指示灯、设备检修门；

• 底部减震支撑脚：隔绝车间震动，保障微米级定位精度。

2. 内部核心运动平台（线轨龙门结构图）

1. XY 高精度直线运动平台承载晶圆吸盘工作台，实现整片晶圆全域路径扫描，重复定位精度 ±0.5μm 级别，适配 8/12 英寸标准晶圆。

2. Z 轴激光聚焦模组激光光路、振镜、同轴视觉 CCD 定位系统，实时抓取晶圆对准标记，自动补偿角度、偏移。

3. 龙门铸铁床身深色大块花岗岩 / 铸件基座，刚性极强，抑制高速运动形变，是半导体精密设备标配。

4. 晶圆载台 & 真空吸附组件真空吸盘固定薄晶圆（50μm~300μm 超薄硅片），防止翘曲偏移；集成角度校正、预定位机构。

5. 辅助机构：拖链走线、除尘气路、冷却循环组件、限位缓冲块。

四、核心工艺优势

1. 无刀痕、零材料损耗传统刀片切割预留切割道≥50μm，激光隐切切割道仅 3~8μm，大幅提升晶圆有效芯片数量，高价值芯片良率显著提升；

2. 超薄晶圆适配性极强5~100μm 极薄硅片、SiC 硬脆第三代半导体，不会出现刀片崩边、裂片碎片；

3. 器件正面零损伤激光只在材料内部作用，芯片正面焊盘、钝化层、微结构完全不受加工影响；

4. 洁净度高：干式加工，无需切割纯水冲洗，避免电路受潮、金属层腐蚀，适配 Fan-out、2.5D/3D 先进封装。

五、典型应用场景

1. 消费电子：手机芯片、CMOS 图像传感器 CIS、存储芯片晶圆切割；

2. 功率半导体：SiC/GaN 新能源车载功率器件、IGBT 晶圆分片；

3. 先进封装：超薄晶圆、晶圆级封装 WLCSP、倒装芯片 FC 切割；

4. 光电子：蓝宝石 LED 外延片、红外探测器晶圆拆分。

六、和常规晶圆切割设备对比

七、设备配套产线流程

整片贴膜晶圆上料 → CCD 自动对准校正 → 激光内部逐行改质扫描 → 下料流转至扩膜机 → 扩膜拉伸自动裂片 → 分粒后芯片分选，可无缝接入半导体封装流水线。