手册一共603页！2016新款版本！12 英寸晶圆先进制程高密度等离子刻蚀机，2015 年首发，是过去十余年硅刻蚀腔体首次完整重构，面向10nm/7nm 及以下先进逻辑、3D NAND、DRAM量产刻蚀，衍生 Y/Z/Magnum 多迭代型号，是全球先进制程主流量产刻蚀机台之一！

典型工艺应用场景

1. 逻辑芯片（Foundry）

• 多晶硅栅刻蚀（Poly Etch，Sym3 Poly 专属腔体）

• Fin 鳍部刻蚀、GAA 纳米片释放刻蚀

• 浅沟槽隔离 STI、接触孔、金属通孔刻蚀兼容介质、多晶硅、硅 nitride、高 k 栅介质、金属栅等多层薄膜刻蚀。

2. 存储芯片

• 3D NAND：阶梯刻蚀、栅层深孔刻蚀、通道孔 HAR 刻蚀

• DRAM：深沟槽电容刻蚀、位线接触孔刻蚀

3. 兼容刻蚀材料与工艺气体

可刻蚀：单晶硅、多晶硅、SiN、SiON、SiC、铪硅酸盐、AlN 等介质 / 半导体薄膜；常用工艺气体：Cl₂、SF₆、Cl₂/SF₆混合、He/O₂、He/N₂、NO/Cl₂等氯基、氟基刻蚀体系。

一、核心架构与硬件平台

1. 整机平台配置

Centris 集群平台标配：

• 6 个刻蚀工艺腔体 + 2 个等离子清洗腔体

• 搭载智能工艺匹配软件，多腔体间工艺参数完全复刻，量产一致性极强、高产能、高稼动率

• 标准适配 300mm（12 英寸）硅片，纯量产机型，无小晶圆兼容版本

2. 标志性核心技术：True Symmetry™ 真对称设计

整机从射频功率馈入、工艺气体输送、腔体热场全域对称重构，解决两大行业痛点：

1. 片内（Die 内）刻蚀不均：高密度版图（密集线）与孤立线条刻蚀速率差异（负载效应 Pattern Loading）大幅抑制；

2. 整片晶圆径向均匀性：晶圆中心→边缘刻蚀深度、侧壁倾角、线宽偏差压缩至原子级波动

3. 副产物快速抽排架构（核心革新）

传统刻蚀机副产物再沉积在沟槽侧壁，会收窄开孔、造成深度偏差、粗糙度 LWR 劣化。Sym3 优化点：

• 更大腔体容积 + 高导流气路 + 高抽速真空，刻蚀副产物即时排出；

• 杜绝副产物回溅、二次沉积，显著降低颗粒缺陷，提升良率；

• 天然适配高深宽比 HAR 沟槽、极窄光刻线条刻蚀场景

二、关键配套工艺技术

1. Pulsync™ 同步等离子脉冲技术

同步调制射频源与偏置脉冲，独立调控离子能量、离子入射角度，进一步削弱版图负载效应，侧壁轮廓垂直度可控，抑制线边缘粗糙度 LER/LWR，适配 EUV 光刻后精细图形刻蚀

2. 可选双频偏置 Dual Frequency Bias

独立调控低频离子轰击能量 + 高频等离子密度，攻克超高深宽比结构刻蚀（GAA 纳米片、3D NAND 栅孔、DRAM 深沟槽），侧壁垂直无弯曲、底部无残留刻蚀残底.