各种型号都有！都是详细的原装设备手册！
AMAT 是全球半导体 PVD 绝对龙头，市占率 80%+，核心为Endura 集群式平台（晶圆量产主力），辅以 Centura、Pika、Ioniq、AKT 面板 PVD 四大产品线，依靠磁控溅射技术实现金属 / 氮化物 / 氧化物薄膜沉积，覆盖从成熟制程→先进 3nm 逻辑、存储、功率、面板全场景。
模块化集群真空平台，Loadlock→Degas→Preclean→PVD 沉积腔体串联集成，单台可搭载 6~12 个工艺腔，原位预处理 + 连续镀膜，是前道金属化标配。
| 腔体型号 | 工艺用途 | 适用制程 | 镀膜材料 |
|---|---|---|---|
| Cirrus HT/HTX | TiN 阻挡 / 硬掩膜、Ti 粘附层 | 7nm~28nm | Ti、TiN（拉应力高密度 TiN 解决多孔低 k 介质塌陷） |
| ALPS | Co/Ni 硅化物、接触孔填充 | 14nm~90nm | Co、Ni，低压高离子化，高深宽比底部覆盖优异 |
| Avenir RF | PVD 射频溅射、高 K 金属栅、氧化物 | 7nm~22nm | 金属栅、TaN、介质反应溅射 |
| CuBS XT | Cu 互连阻挡 + 铜籽晶层 | 3nm~28nm | TaN/Cu，铜布线核心腔室 |
| Ioniq（新一代） | 先进节点超低阻阻挡 / 籽晶，集成 Preclean+PVD | 3nm 及以下 | Co/Ru 替代传统 TaN，解决细线高阻难题 |
| Impulse | 特种存储薄膜 | PCRAM/ReRAM/MRAM | GST 相变材料、磁性多层膜 |
紧凑型集群平台，主打厚铝 (4~100μm)、功率器件金属化、IGBT 金属层，兼容厚膜低温工艺，MEMS、功率半导体主力机型。
紧凑型单机（单晶圆），体积小巧，DC/RF/ 脉冲 DC 兼容，高校、实验室、小批量研发，可共溅射合金、氧化物、III-V 晶圆镀膜
旋转阴极磁控溅射，高靶材利用率 (＞70%)，沉积ITO、IGZO 栅极、金属走线，LCD/OLED/TFT 产线标配。
