ASM Laser 1205（ALSI LASER1205）是 ASMPT 旗下全自动紫外皮秒激光划片 / 开槽系统，主打多光束、窄切缝、低热影响、高产能，在功率半导体、先进封装（Low‑K、DAF/FOW、M‑WLCSP）应用很广。

一、定位与核心用途

• 设备全称：ALSI LASER1205（常简称 ASM Laser 1205）

• 工艺类型：紫外超短脉冲（UV USP）激光切割 / 开槽，非激光隐切（Stealth Dicing），属于表面 / 穿透式激光加工

• 典型应用：

  • 硅片（10–250 μm）、超薄 / 低 K、带 DAF/FOW 膜层切割。

  • 功率器件（MOSFET/IGBT）、SiC/GaN、蓝宝石、玻璃。

  • 2.5D/3D、M‑WLCSP、模塑晶圆切割

  • 晶圆开槽（Matrix Grooving）+ 后裂片。

二、关键技术参数

1）激光源

• 波长：355 nm（UV），可选 343 nm。

• 脉宽：0.5–10 ps（皮秒），超短脉冲→HAZ 极小光束：多光束（Multi‑beam）+ DOE 分光，最多 200 个光斑

  
  

2）加工能力

• 晶圆尺寸：4–12 英寸。

• 厚度：10–250 μm（硅），特殊可达 800 μm。

• 切割宽度：<12 μm（100 μm 硅，多光束），远窄于刀轮（25–30 μm）。

• 热影响区 HAZ：<2 μm（100 μm 硅）。

• 定位精度：±1.5 μm，重复精度 <1 μm

• 产能 UPH：比传统激光高约 50%，典型 1.5× 效率。

3）工艺指标

• 崩边 / 毛刺：<5 μm（硅），精细工艺 <1 μm。

• 芯片强度：450–1000 MPa（依工艺），显著高于刀划片

• 支持结构：DAF、FOW、Low‑K、多层堆叠、模塑层

三、核心技术：多光束（Multi‑beam）+ VI‑Process

1. DOE 分光：一个激光束分成多束并行加工，速度大幅提升，同时降低单点热积累→HAZ 更小、良率更高。

2. VI‑Process（Vertical Integration）：一次激光完成全层切割（硅 + 金属 + Low‑K+DAF），无需 DBG 等复杂混合工艺，良率高、成本低

3. 在线监控：实时切缝检查（Kerf Check）、功率 / 位置闭环控制，异常预警。

四、标准配置与工艺

1）硬件配置

• 全自动上下料：双料盒，12 英寸兼容。

• 高精度运动台：±1.5 μm 定位，滑块式高稳定结构。

• 视觉：高精度对准，支持破片 / 残片处理。

• 2）典型工艺流程

1. 上料 → 贴膜（可选）

2. 视觉对准划片槽

3. 多光束激光扫描（一次或多次）

4. 在线检测 → 下料 / 扩片分离