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晶圆激光隐切（Stealth Dicing，也称激光隐形切割）是一种先在晶圆内部做改性层、再靠张力掰开的干式切割技术，核心是 “内部改性 + 外力分离”，几乎无切口、无崩边、无碎屑，特别适合超薄、高价值芯片。
选用近红外皮秒 / 飞秒脉冲激光（对硅等材料透明），穿透晶圆表面，聚焦在内部目标深度。
焦点处超高能量密度引发多光子吸收，晶格被破坏，形成一层连续、脆弱的改质层（SD 层），表面完全不受影响。
贴在晶圆背面的蓝膜（扩片膜）被均匀拉伸，张力让裂纹沿 SD 层垂直贯通，芯片自然分离。
上料与贴膜：晶圆背面贴蓝膜，正面保护。
视觉对准：识别划片槽，定位切割路径。
激光内部扫描：
聚焦深度：通常在晶圆中下部（距背面 20–50 μm）。
扫描次数：150 μm 硅片一般 3–4 遍，每遍深约 25 μm。
速度：可达300 mm/s。
扩片分离：扩片机 360° 拉伸蓝膜，芯片间距拉开、分离。
检测与收片：检查边缘与强度，进入封装。
零表面损伤：无崩边、无裂纹、无硅粉，芯片强度高。
切口≈0：传统刀宽约 20–30 μm，隐切几乎不占划片槽，单晶圆出片率 + 5–10%。
干式无污染：不用水、无碎屑，省去清洗，良率更高。
适配超薄 / 脆材：50 μm 以下超薄片、蓝宝石、玻璃、SiC 等难切材料良率显著提升。
高效量产：速度快，产能比传统划片提升约 13%。
激光波长：硅常用1030 nm/1064 nm近红外；SiC / 蓝宝石用532 nm/355 nm。
SDBG（先隐切后研磨）：厚片先做内部改性，再背面减薄到目标厚度，解决超薄片加工难题。
多层改质：厚晶圆（>300 μm）可做2–3 层平行 SD 层，确保裂片笔直。
先进封装：2.5D/3D IC、TSV 晶圆、超薄芯片（5–50 μm）。
功率器件：IGBT、MOSFET、SiC/GaN 晶圆（崩边敏感）。
光电子：LED、VCSEL、蓝宝石 / 玻璃基 MEMS。
高价值芯片：存储、传感器、汽车电子（高可靠性要求）。
核心设备：激光隐切机（含皮秒光源、高精度运动台、视觉系统、扩片机）。
代表厂商：
国外：滨松（Hamamatsu，Stealth Dicing™原创）、Disco、三菱电机。
国内：武汉优一等、大族激光、帝尔激光、光峰科技。
