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VEECO-MOCVD等设备手册和技术资料
首页 >半导体设备资料 >晶圆制造:镀膜-PVD-CVD 2024-01-31 报告错误错误问题可与客服联系,感谢您的支持! [获取免费下载] 觉得本站不错记得分享给好友哦! 0
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资料描述

 Veeco(维易科)系列的 GaN MOCVD 设备,2010 年推出,LED 量产经典机型,主打高产能、高良率、低成本,用于蓝 / 绿 LED、功率器件、VCSEL等 GaN 基外延。

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一、基本定位与平台

  • 品牌 / 型号:Veeco TurboDisc K465i(K‑Series 平台)

  • 核心用途GaN 基外延(蓝宝石 / 硅 / 碳化硅衬底)

  • 晶圆尺寸2 寸、4 寸、6 寸(可升级 8 寸)

  • 核心市场高亮 LED(HB‑LED)量产,兼容功率器件(HEMT/MOSFET)

二、核心技术与架构

1. 反应室:TurboDisc® 高速旋转盘

  • 石墨托盘(SiC 涂层),高速旋转(~1000 rpm),保证片内均匀性

  • 加热:多区红外灯 + SiC 涂层石墨加热器,温控 **±1°C**,最高1200°C

2. 气流设计:Uniform FlowFlange®(专利)

  • 垂直进气 + 分流整流,层流均匀,颗粒污染极低快速切换气体 / 掺杂,界面陡峭(适合 MQW 多量子阱)

3. 自动化与产能

  • 全自动机械手,单炉41 片 ×2 寸 / 12 片 ×4 寸 / 6 片 ×6 寸

  • 维护后一次运行恢复(One‑Run Recovery),高稼动率(>95%)

  • 参数K465i 典型值说明
    生长温度950–1150°CGaN/InGaN/AlGaN 通用
    工作压力10–200 Torr低压提升均匀性
    产能(2 寸)~120 片 / 天行业领先
    良率(5nm bin)≈90%波长均匀性优秀Veeco Instruments Inc.
    片内厚度均匀性<1.5%MQW 厚度精准
    掺杂范围n 型(Si)、p 型(Mg)浓度可控 1e16–1e20 cm⁻³
  • 核心应用场景

  • 蓝 / 绿光 LED:手机背光、照明、显示屏(主流)

  • 功率器件:GaN HEMT(快充 / 基站)、GaN MOSFET

  • 光电子:VCSEL、激光二极管(LD)、紫外 LED


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资料信息
资料ID :249
文件大小:196.91M
资料格式:pdf
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