AMAT‑EPI指应用材料（Applied Materials, AMAT）的硅外延（EPI）设备，是半导体前道制造的核心设备，用于在硅片上 “生长” 高质量单晶薄膜，服务逻辑、存储、功率 / 车规芯片。
品牌：AMAT（应用材料）
平台：Centura（主流）、Endura（部分）
核心型号（按晶圆尺寸）：
200mm（8 寸）：Centura 200 EPI、Centura 5200 EPI
300mm（12 寸）：Centura 300 RP、Centura ACP（多腔量产）
工艺类型：RP EPI（减压外延，主流）、ATM EPI（常压）、SiC/GaN 外延（功率器件）
原理：高温（900–1150°C）CVD，硅源（如 DCS、TCS）与掺杂剂（B、P、As）在硅片表面外延生长单晶层。
温度控制：多区红外灯加热 +光学高温计闭环控温，均匀性 ±1°C。
压力：10–760 Torr（RP/ATM），低压提升均匀性与良率。
厚度 / 均匀性：50nm–10μm，片内均匀性 **<1%，厚度误差≤3 个原子层 **。
产能：300mm 单腔约8–12 片 / 小时；多腔（如 ACP）并行，产能翻倍。
| 型号 | 腔室数 | 压力 | 温度 | 典型应用 |
|---|---|---|---|---|
| Centura 300 RP | 2 腔 | 减压（~100 Torr） | 950–1100°C | 逻辑 / 先进制程、3D NAND |
| Centura ACP | 4 腔 | 减压 | 900–1150°C | 高产能量产、车规芯片 |
| Centura HTF EPI | 2 腔 | 常压 / 减压 | 1000–1150°C | 功率器件、SiC 外延 |
先进逻辑（7nm 及以下）：源漏区、高迁移率沟道、应变层（SiGe/SiC）。
存储芯片：3D NAND 外围电路、DRAM 位线 / 字线层。
功率 / 车规芯片：IGBT、MOSFET、SiC 外延层（高耐压、低损耗）。
特殊器件：光电探测器、传感器、射频器件的高阻 / 低阻外延层。
