全称：Candela 8520 – Integrated Photoluminescence & Surface Defect Inspection System
定位：SiC/GaN 专用、晶体 + 表面双检测、量产级全自动核心材料：**SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）** 衬底 / 外延片
晶圆尺寸：100/150/200mm（最大 200mm）
核心检测：
SiC：BPD（基面位错）、微管、堆垛层错、晶界、划痕、颗粒、三角形 / 胡萝卜缺陷
GaN：位错、凹坑、孔洞、表面污染、MOCVD 工艺异常
应用场景：衬底来料 IQC、外延工艺监控、MOCVD 腔体检定、车规级功率器件良率管控
检测技术（5 合一）：暗场 + 明场 + 斜率 + 相位 +PL 光致发光（晶体缺陷穿透检测）SiC 晶体缺陷灵敏度：BPD 全检、微管 ≥1μm、堆垛层错 ≥5μm
表面缺陷灵敏度：颗粒 ≥50nm、划痕 ≥2μm、凹凸 ≥10nmS
产能（200mm 全检）：≤4 分钟 / 片；约 15 片 / 小时（比上代 CS920 快 2 倍 +）
自动分类：20+ 种缺陷 AI 自动识别，准确率 ≥98%
厚度兼容：100–1000μm（超薄 / 厚片通吃）
PL + 表面一体化：一次扫描同时出晶体缺陷 map + 表面缺陷 map，效率翻倍、成本减半
SiC 特有缺陷全覆盖：BPD / 微管 / 堆垛层错精准区分，车规级良率刚需
五模光学融合：暗场抓颗粒、明场抓形貌、PL 抓晶体缺陷，无死角
高速量产设计：200mm 全检 ≤4 分钟，适配大产能 SiC 产线
MOCVD 工艺闭环：缺陷数据直接反馈腔体状态，降低外延良率损失 30%+。
