图纸格式为STP，赠送大量技术文件资料！对深入了解激光切割很有价值！晶圆切割分刀轮切割法和激光切割法，激光切割的精度更高!可以实现隐切！
晶圆采用FOUT上料，机械手夹持到晶圆平台！对晶圆定位，！然后抓取到晶圆切割平台，切割平台采用DD马达旋转！晶圆CHUCK对晶圆吸取和边缘夹持！保证晶圆的稳定性！高功率激光对晶圆实现切割，整体结构采用铸造架子和梁，热稳定性和抗震性能最优！
附上视频供参考（来源ASM）
晶圆激光切割是半导体封装前段将晶圆分离为单颗芯片的非接触式精密工艺，核心分为激光消融切割（Ablation）与激光隐形切割（Stealth Dicing, SD）两大类，主打无应力、窄切缝、低崩边，适配超薄 / 大尺寸 / 硬脆材料（如 SiC/GaN）。
一、核心原理与工艺
1. 激光消融切割（全切 / 烧蚀）
原理：短脉冲激光（紫外 / 绿光 / 红外）聚焦晶圆表面，直接汽化 / 熔化切割道材料，逐层去除直至切穿。
✅ 无需后续裂片，一步到位；适配任意厚度 / 异形切割。
❌ 表面有热影响区（HAZ）、微裂纹与碎屑污染；切缝约20–50 μm。
适用：厚晶圆、常规硅片、MEMS、激光开槽 + 刀片精切（复合工艺）。
2. 激光隐形切割（内部分离）
原理：选用晶圆可透波长（如硅用 1064 nm 红外），聚焦于晶圆内部 10–50 μm深度，诱导材料改性形成改质层（SD 层）；后续扩膜 / 外力沿改质层精准裂开。